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Développement de Jonctions Supraconductrices Développement de Jonctions Supraconductrices à Effet Tunnel (JSET) pour le comptage de à Effet Tunnel (JSET) pour le comptage de
photons en astronomiephotons en astronomie
Thèse de l’Institut National Polytechnique de GrenobleThèse de l’Institut National Polytechnique de Grenoble
présentée le 20 décembre 2000 à Grenoble parprésentée le 20 décembre 2000 à Grenoble par
Corentin JorelCorentin Jorel
Thèse préparée au Laboratoire d’AstrOphysique Thèse préparée au Laboratoire d’AstrOphysique de Grenoblede Grenoble
Sous la direction de Sous la direction de Philippe FeautrierPhilippe Feautrieret au et au
Laboratoire de CryoPhysique du Laboratoire de CryoPhysique du DRFMC/SPSMS/CEA-GrenobleDRFMC/SPSMS/CEA-Grenoble
Sous l’encadrement de Sous l’encadrement de Jean-Claude VillégierJean-Claude Villégier
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Contexte scientifiqueContexte scientifique
• Collaboration : Collaboration : UJF UJF LAOGLAOGCEA-G DRFMCCEA-G DRFMCCNRS CRTBTCNRS CRTBT
• Objectif : obtenir des détecteurs à comptage de Objectif : obtenir des détecteurs à comptage de photons pour le visible et l’infrarouge proche.photons pour le visible et l’infrarouge proche.
• Applications :Applications :• AstronomieAstronomie• Télécommunications Télécommunications • InstrumentationInstrumentation
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IntroductionIntroduction
• Intérêt des JSET :Intérêt des JSET :• Détection tridimensionnelle ((x,y), t, Détection tridimensionnelle ((x,y), t, ) des X à l’IR) des X à l’IR• Sensibilité optimale et bonne dynamiqueSensibilité optimale et bonne dynamique• Efficacité quantique (~ 70 %)Efficacité quantique (~ 70 %)• Taux de comptage (~ 10 kHz)Taux de comptage (~ 10 kHz)
• Inconvénients:Inconvénients:• Fonctionnement à très basse température (~0,1 K)Fonctionnement à très basse température (~0,1 K)• Difficultés des grands formats Difficultés des grands formats
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Contexte de la photodétectionContexte de la photodétection
T (°K)T (°K)Efficacité Efficacité quantiquequantique
Faux Faux événementsévénements
Taux de Taux de comptagecomptage
(E/(E/E)E)
Diode à aval. Diode à aval. (Takeuchi 1999)(Takeuchi 1999)
7 K7 K0.9 @ 700nm0.9 @ 700nm
0,4 @ 700nm0,4 @ 700nm
2000020000 ss-1-1
300 s300 s-1-1?? sanssans
CCD CCD 0,5 MPixels0,5 MPixels
-40 °C-40 °C 50% @ 700nm50% @ 700nm 1/pixel/s1/pixel/s14 Hz/image14 Hz/image
5 MHz /pixel5 MHz /pixelsanssans
HEB HEB (Korneev 2004)(Korneev 2004)
4 K4 K0.2 @ 800 nm 0.2 @ 800 nm 0.1 @ 1.550.1 @ 1.55mm
1010-3 -3 ss-1-1
3000 s3000 s-1-12 GHz2 GHz sanssans
12*10 JSET 12*10 JSET (Martin 2004)(Martin 2004)
0,2 K0,2 K0.3 @ 200-500 0.3 @ 200-500
nmnm~ 0~ 0 10 kHz10 kHz 1010
TES TES (Miller 2003)(Miller 2003)
0,1 K0,1 K0.4 @ 200-0.4 @ 200-1000 nm1000 nm
1010-3 -3 ss-1-1 10 kHz10 kHz 1010
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Etat des lieuxEtat des lieux
• Thèse de B. Delaët :Thèse de B. Delaët :• Procédé de fabrication Procédé de fabrication jonctions Nb de qualité jonctions Nb de qualité
comptage de comptage de photons à photons à 0,78 0,78 mm
• Objectif double :Objectif double :• Nouveau matériau : TaNouveau matériau : Ta• Avec un nouveau procédé plus performantAvec un nouveau procédé plus performant
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Plan de l’exposéPlan de l’exposé
IntroductionIntroduction
I-I- Principes physiques des photodétecteurs JSETPrincipes physiques des photodétecteurs JSET
II-II- L’épitaxie de l’absorbeur TaL’épitaxie de l’absorbeur Ta
III-III- Fabrication et caractérisation des JSETFabrication et caractérisation des JSET
IV-IV- PhotodétectionPhotodétection
ConclusionConclusion
I- Principes physiques I- Principes physiques des photodétecteurs des photodétecteurs
JSETJSET
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Principe de basePrincipe de base
Absorbeur Ta (~meV)
SSubstratubstrat SaphirSaphir
i, V-
i, V+
Éclairage en face arrière
h
Barrière Tunnel e ~
1nm
Électrode Électrode SupraconductriceSupraconductrice
h(~eV(~eV))
Ta (~meV)
2 Couches 2 Couches de piégeage de piégeage
en Alen Al
Les 3 enjeux : Les 3 enjeux : Absorbeur Ta de Absorbeur Ta de qualité qualité
Barrière fine et sans défautBarrière fine et sans défaut
Électrode Électrode SupraconductriceSupraconductrice
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Schéma de principe de Schéma de principe de l’absorption lumineusel’absorption lumineuse
Énergie
Barrière tunnel
eVp
Ta
Al
AlAl TaTaAlAl22OO33AlAlAbsorbeur TaAbsorbeur Ta
Paire de Cooper
Quasiparticule
Phonon
Passage tunnel
h
SubstratSubstrat saphirsaphir
N0 h/
10
Processus d’amplificationProcessus d’amplification
• NN00 = h = h / 1,7 / 1,7g g ((M. Kurakado, 1982M. Kurakado, 1982))
• Nombre de charges comptées : Nombre de charges comptées : N = <n> NN = <n> N00
• <n> lié à 2 temps caractéristiques :<n> lié à 2 temps caractéristiques : <n>= <n>= QPQP / / tt
QPQP la durée de vie des QP la durée de vie des QP tt le temps tunnel: le temps tunnel:
p
p
NolEt eV
eVRVeN
F
22)(4
eVpol
Processus de multiplication
de Korte (1992)de Korte (1992)
Sens du courant
11
Résolution et choix des Résolution et choix des supraconducteurs supraconducteurs
0,1 1 10 100 1000 100000,01
0,1
1
10 Nb Ta Al Hf
Ré
solu
tion
tun
ne
l lim
ite (
eV
)
Energie du photon (eV)
IR visible UV Rayons X
EGFE 7,1)(35,2
Valeurs valables à T<0,1 TValeurs valables à T<0,1 TCC
Nb 9,2 1,55 4000 250
Ta 4,48 0,66 8000 500
Al 1,17 0,17 30000 2000
Hf 0,13 0,02 300000 18000
N0
(=2m)Matériau TC (K) (meV)
N0
(=0,12m)
Avec F = 0,2 Avec F = 0,2 (Kurakado, 82)(Kurakado, 82)
et G = 1 + 1/<n> et G = 1 + 1/<n> (Goldie, 94)(Goldie, 94)
12
Caractéristique I-V et point de Caractéristique I-V et point de fonctionnementfonctionnement
V = 2
Courant normal
RN
T = 200 mK
Vp
IC
Théorique idéale sans pièges Expérimentale avec pièges aluminium
If+dI
I
VVP
If
Courbe avec flux de photons
Réprésentation schématique sous le gap
• Suppression du courant Josephson avec B• Minimisation du courant de fuite sous le gap
T < 0,1TC pour la contribution thermique Barrière sans défauts
• Compromis sur Vp pour régler le rapport dI/I
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Effet de proximitéEffet de proximité
Al (60nm)Al (60nm)Absorbeur TaAbsorbeur Ta
Pote
nti
el
Pote
nti
el
d’a
pp
ari
em
en
td
’ap
pari
em
en
tTa Ta = 0,66 = 0,66
meVmeV jonctionjonction
Al Al = 0,17 = 0,17 meVmeV
Représentation schématique, d’après Représentation schématique, d’après Brammertz 2003 Brammertz 2003
14
Effet de proximitéEffet de proximitéD
ensi
té d
’éta
t nor
mal
isée
Den
sité
d’é
tat n
orm
alis
ée
Energie (meV)Energie (meV)
Dans le Dans le TaTaDans l’ Dans l’ AlAl
Energie en unité deEnergie en unité de TaTa
jj
TaTa
Courbes de densité Courbes de densité d’état, d’état,
d’après Brammertz, d’après Brammertz, 20032003
II- Epitaxie de II- Epitaxie de l’absorbeur Tal’absorbeur Ta
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Pourquoi et comment Pourquoi et comment
• La qualité cristalline est un paramètre La qualité cristalline est un paramètre critique : influence directe sur la durée de vie critique : influence directe sur la durée de vie des quasiparticules des quasiparticules QPQP
• 2 types de caractérisations :2 types de caractérisations :• Diffraction par rayons XDiffraction par rayons X• Mesure du RRR = (Mesure du RRR = (300K 300K – – 10K10K)/ )/ 10K10K
17
Epitaxie du Nb Epitaxie du Nb Diffraction Diffraction - 2- 2 de deux films de Nb de deux films de Nb ConditionCondition
s de s de dépôtdépôt
Nb (600 nm) Nb (600 nm) à froid à froid polycristallinpolycristallin
Nb (600nm) Nb (600nm) à 600°C à 600°C
épitaxiéépitaxié
• Hauteur des grains à ~50 nmHauteur des grains à ~50 nm
• Dispersion de l’orientation des plans [200] deDispersion de l’orientation des plans [200] de 0,2 ° 0,2 °
18
Epitaxie du Ta Epitaxie du Ta
Diffraction Diffraction - 2 - 2 de films Ta de films Ta ConditionConditions de s de
dépôtdépôt
Ta (800 nm )/ Nb Ta (800 nm )/ Nb (10nm) à froid(10nm) à froid
polycristallinpolycristallin
Ta(650 Ta(650 nm)/Nb(20nm) à nm)/Nb(20nm) à
650°C650°C
épitaxiéépitaxié
• Hauteur des grains à ~90 nmHauteur des grains à ~90 nm
• Dispersion de l’orientation des plans [200] deDispersion de l’orientation des plans [200] de 0,27 ° 0,27 °
(degré)(degré)
19
RRR et lRRR et l10K10K
KK
KK
K
KK M
R
RRRRR
1010
10300
10
10300
Film de Ta/Nb (A1088)Film de Ta/Nb (A1088)
Film Nb Film Ta/Nb
A1048 A1077 A1066 A1088Température
de dépôt600 °C amb. 600 °C 650 °C
RRR 30,5 2,6 26 45l10K (nm) 78 5 50 100
Film Ta
Évaluation du libre parcours moyen Évaluation du libre parcours moyen avec le RRR :avec le RRR :
Et Et l =l =3,75 3,75 . . 1010-12 -12 cmcm2 2 pour Nb pour Nb (Gurvitch, 86)(Gurvitch, 86)
2,5 2,5 .. 10 10-12-12 cmcm22 pour pour Ta Ta (v.d. (v.d. Berg, 99)Berg, 99)
20
BilanBilan
• Optimisation du dépôt de Ta par :Optimisation du dépôt de Ta par :• Chauffage du substrat à 600 °CChauffage du substrat à 600 °C• Utilisation d’une sous couche de NbUtilisation d’une sous couche de Nb
Obtention de couches épitaxiées dans la direction Obtention de couches épitaxiées dans la direction [100] avec des libres parcours moyens de l’ordre de [100] avec des libres parcours moyens de l’ordre de 100 nm100 nm
III- Fabrication et III- Fabrication et caractérisation des caractérisation des
jonctionsjonctions
22
Réalisation de la multicouche Ta/Al-Réalisation de la multicouche Ta/Al-AlOAlOxx-Al/Ta-Al/Ta
Température du substrat
25 oC
600 oC
Temps
Chauffage/dégazage
dép
ôt
Al
dép
ôt
Ta
dép
ôt
Al
oxy
dati
on
SA
S
Déca
pag
e R
F
~24 h
Dép
ôt
Ta
Dép
ôt
Ta
150 à 180 nm de 150 à 180 nm de Ta sur 10 à 20 nm Ta sur 10 à 20 nm
de Nbde Nb
80 nm 80 nm d’ Ald’ Al
~8 h
20-200 20-200 mbar mbar d’Od’O22
~1/2 h
80 nm 80 nm d’ Ald’ Al
120 nm de 120 nm de Ta sur 3 nm Ta sur 3 nm
de Nbde Nb
23
Procédé de fabrication (1)Procédé de fabrication (1)
Junction (few 10 mm)
1ère étape : Gravure de la multicouche et définition de la jonction
Al 80 nm
AlO x 1.2 nm
Al 80 nm
Contre-électrode Ta 120 nm
Substrat Saphir
Vue en coupe
Vue de dessus
Absorbeur Ta 150 nm
25, 30, 40 ou 50 m
24
Procédé de fabrication (2)Procédé de fabrication (2)
Junction (few 10 mm)
Absorbeur
Gravure d’une Gravure d’une bandelette de Ta/Al-bandelette de Ta/Al-
AlOx-AlAlOx-Al
2ème étape : Préparation du contact à l’absorbeur
25
Procédé de fabrication (3)Procédé de fabrication (3)
Junction (few 10 mm) Substrat Saphir
~ 400 ~ 400 nmnm
SiOSiO22
~ 450 ~ 450 nmnm
SiO2
Lift-off des Lift-off des trous de trous de contactscontacts
3ème étape : Pulvérisation de la couche de passivation SiO2 et lift-off des trous de contact
40 40 mm
26
Procédé de fabrication (4)Procédé de fabrication (4)
Junction (few 10 mm) Substrat Saphir
SiOSiO22
SiO2
NbNb
NbNb
4ème étape: Dépôt du Nb et gravure des lignes de courant
~ 500 ~ 500 nmnm
27
Dispositifs obtenusDispositifs obtenus
• ~ 200 mono-détecteurs~ 200 mono-détecteurs• ~ 20 matrices de 9 ~ 20 matrices de 9
pixels pixels • ~ 30 multi-jonctions à ~ 30 multi-jonctions à
absorbeur communabsorbeur commun
plaquette 3 pouces plaquette 3 pouces en fin de procédéen fin de procédé
1 cm1 cm
28
Dispositifs obtenus (2)Dispositifs obtenus (2)
40m
200 m
30m
NbNb
NbNb
OptiqueOptique MEBMEB
29
Dispositifs obtenus (3)Dispositifs obtenus (3)
Mosaïque de 3*3 pixels
40 m
30
Caractérisation électrique d’une Caractérisation électrique d’une mosaïque : transparence de la mosaïque : transparence de la
barrièrebarrière
Caractéristiques I-V des jonctions (30*30 Caractéristiques I-V des jonctions (30*30 mm22) d’une mosaïque 3*3 pixels) d’une mosaïque 3*3 pixels
RRN N autour autour de 30 de 30 cmcm22
T<300 T<300 mKmK
Zone de Zone de VVpp
31
Caractérisation électrique d’une Caractérisation électrique d’une mosaïque : courant de fuitemosaïque : courant de fuite
… … sous le gap (courants et tensions faibles)sous le gap (courants et tensions faibles)
T<250 T<250 mKmK
RRDD de 0,2 de 0,2 à 0,45 à 0,45 cmcm22
Zones de Zones de polarisatiopolarisatio
nn
32
Point critique : le flanc des Point critique : le flanc des jonctionsjonctions
Tasup
Ta abs
Al/AlOx/Al
Motif technologique vu au MEB
1 m 300 nmTrace de l’interface Al/Al
Nb
33
SiO2
Empilement
Saphir
Flancs des jonctionsFlancs des jonctions
Empilement Ta/Al-AlOx-Al/Ta d’une jonction après une gravure au FIB
34
Flancs des jonctionsFlancs des jonctions
Agrandissement
jonction
IV- Photodétection IV- Photodétection
Comptage de photons à 0,78 Comptage de photons à 0,78 mm
36
Dispositif expérimentalDispositif expérimental
Schéma du banc de mesures
Amplificateur de charge+
étage de polarisation
PC
Photodiode
Cryostat
Générateurd’impulsions
JSET
Supporten cuivre
Fibre optique
Amplification
Bobines de champmagnétique
10 mm
Support en cuivre
37
Réponse du détecteur à un paquet Réponse du détecteur à un paquet de photonsde photons
0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
-4000
-2000
0
2000
4000
6000
8000
10000
No
mb
re d
e c
ha
rge
s
ms
2 courbes de réponse issues de la même acquisition2 courbes de réponse issues de la même acquisition
Jonction Jonction 40 *40 40 *40
mmmm2 2 RRNN=37 =37 cmcm22
Paramètres Paramètres ::
T= 130 mKT= 130 mK
B = 30 B = 30 GaussGauss
Vp = 80 Vp = 80 VV
IIfuitefuite = 2,4 = 2,4 nA nA
38
0,2 0,3 0,4 0,5 0,6-6000
-4000
-2000
0
2000
4000
6000
8000
10000
No
mb
re d
e c
ha
rge
s
ms
Ajustement des impulsionsAjustement des impulsions
• Hauteur des pics proportionnelle à Hauteur des pics proportionnelle à l’énergie absorbéel’énergie absorbée
• Utilisation de la moyenne des Utilisation de la moyenne des impulsions M(t) comme gabaritimpulsions M(t) comme gabarit
• Ajustement de chaque impulsion i Ajustement de chaque impulsion i sous la forme : sous la forme : ii *M(t)+ *M(t)+ii
2 courbes de 2 courbes de réponse et moyenne réponse et moyenne
des impulsionsdes impulsions
130 130 mKmK
39
Courbes de réponse et Courbes de réponse et ajustementajustement
0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
-3000
0
3000
6000
9000
Nom
bre
de
char
ges
ms
40
0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
-3000
0
3000
6000
9000
No
mb
re d
e c
ha
rge
s
ms
Courbes de réponse Courbes de réponse et leur ajustement et leur ajustement
• NNii = = ii * N * Nmoyenmoyen
• Evaluation de Evaluation de QP QP comme le comme le
temps de montée : temps de montée : 18 18 ± 1 ± 1 ss
Extraction du nombre de Extraction du nombre de charges Ncharges Nii
41
Jonction Jonction 40 *40 40 *40
mmmm2 2 RRNN=37 =37 cmcm22
Paramètres Paramètres ::
T= 130 mKT= 130 mK
B = 30 B = 30 GaussGauss
Vp = 80 Vp = 80 VV
IIfuitefuite = 2,4 = 2,4 nA nA
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 120
20
40
60
12,89,66,43,2
Cou
ps
*2800 charges
2800 charges
Energie (eV)
Histogramme du nombre de Histogramme du nombre de charges détectées par impulsion charges détectées par impulsion
lumineuselumineuse
Histogramme de détectionHistogramme de détection
42
Histogramme de détectionHistogramme de détection
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 120
20
40
60
12,89,66,43,2
Cou
ps
*2800 charges
2800 charges
Energie (eV)
• N(1 photon) = 2800 eN(1 photon) = 2800 e--
pour Npour N0 0 = 2000 QP= 2000 QP
Soit <n>Soit <n>exp exp = 1,4= 1,4
• Sensibilité 1800 eSensibilité 1800 e--/eV/eV
• EtEtQPQP = 18 = 18 ± 1 ± 1 ss
tt ~ 1 ~ 1 ss
soit <n>soit <n>thth~ 18~ 18Histogramme du nombre de Histogramme du nombre de
charges détectées par impulsion charges détectées par impulsion lumineuselumineuse
43
… … à Và Vpp = 0,1 mV = 0,1 mV
4 6 8 10 12 140
5
10
15
20
25
30
35
Cou
ps
*2800 charges
Même Même configuration configuration
sauf :sauf :
VVp p : 80 : 80 100 100 VV
If : 2,4 If : 2,4 4 nA 4 nA
44
Comparaison à l’état de l’artComparaison à l’état de l’art
Groupe ESTEC ESTEC PSI (suisse) Yale Riken Cette thèse
Jonction Ta/Al Al Ta/Al Ta/Al Nb/Al Ta/AlRéseaux 12*10 * * 2 * 3*3
RN (cm2) 2 7 4 7 2 30
RD (cm2) 30 1,9 2 * 0,08 0,8
Pouvoir de Résolution
E/E
15 à =500nm
10 à =500nm
2,5 à =500nm
1,7 à =340 nm
2,5 à=500nm
~1 à = 780 nm
ConclusionConclusion
46
Principaux résultatsPrincipaux résultats
• Conception et développement d’un procédé de fabrication Conception et développement d’un procédé de fabrication de jonctions:de jonctions:
• Film de Ta épitaxiés de RRR = 45Film de Ta épitaxiés de RRR = 45• Excellente fiabilité (<5% de jonctions défectueuses)Excellente fiabilité (<5% de jonctions défectueuses)• Homogénéité et robustesse des dispositifs Homogénéité et robustesse des dispositifs
• Caractérisation électrique des dispositifsCaractérisation électrique des dispositifs• Courant de fuite dans le cadre de l’état de l’artCourant de fuite dans le cadre de l’état de l’art• Transparence des jonctions en cours d’améliorationTransparence des jonctions en cours d’amélioration
• Détection de paquets de 5 à 8 photons avec Détection de paquets de 5 à 8 photons avec E > E E > E comptage de photons à 0,78 comptage de photons à 0,78 mm
47
PerspectivesPerspectives
• Fiabilisation du procédé de fabrication sous Fiabilisation du procédé de fabrication sous conditions d’oxydation réduiteconditions d’oxydation réduite
• Possibilité d’aborder les jonctions tout AlPossibilité d’aborder les jonctions tout Al
• Comptage de photons jusqu’à 2 Comptage de photons jusqu’à 2 m m Application aux longueurs d’ondes télécomsApplication aux longueurs d’ondes télécoms
Spectro-imagerie pour l’astronomie avec les matrices Spectro-imagerie pour l’astronomie avec les matrices de de détecteurs (visible et proche IR)détecteurs (visible et proche IR)
48
49
50
Potentiel d’appariementPotentiel d’appariement
AlAl
TaTa
jonctionjonction
TaTaAlAl
Un
ités
de
Un
ités
de
Ta
Ta
nmnm
Evolution du potentiel d’appariement Evolution du potentiel d’appariement dans la bicouche Al/Ta dans la bicouche Al/Ta
((d’après Brammertz, 2003d’après Brammertz, 2003))
Pote
nti
el
Pote
nti
el
d’a
pp
ari
em
en
td
’ap
pari
em
en
t
51
Comparaison avec le précédent Comparaison avec le précédent procédéprocédé
RN (cm2) RD (cm2)
Cette thèse Ta/Al 35 0,8 0,45 1800
Thèse B. Delaët Nb/Al 40 10* 0,6 980
Type de jonction
Caractéristiques électriques Sensibilité (charges/eV)
Gap (meV)
52
Courant de paires et Courant de paires et évaluation de dévaluation de d
• Effet Josephson continu
• Effet Josephson alternatif
• Dépendance en B suppression du courant Josephson
t
eV
h4 I I 0 sinavec
-10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 100,00
0,02
0,04
0,06
0,08
0,10
0,12
Cou
rant
cri
tique
en
mA
Champ en Gauss
Courbe de dépendance du courant Courbe de dépendance du courant au champ magnétique. Les points au champ magnétique. Les points expémimentaux sont ajuster par expémimentaux sont ajuster par
un sincun sinc
0
4
dB
x
Courant de Courant de paires de cooper paires de cooper
::
d 100 nmLB
td
021
53
Marche defiske et évaluation Marche defiske et évaluation de tde t
-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
-15
-10
-5
0
5
10
15Superposition de courbesmettant en évidence la1ère marche de Fiske
Première marche deFiske à V=0.22 mV
Co
ura
nt (m
A)
Tension (mV)
• Marche de Fiske: Vn c
L
t
dn
r
0
2*
t=1,2nmt=1,2nm
54
GroupeCette Thèse
Cette Thèse
ESTECPSI
(Suisse)Yale
Riken (Japon)
jonction Ta/Al Ta/Al Al Ta/Al Ta/Al Nb/Al
Taille (m) 40*40 25*25 30*30 20*20 10*10 20*20
Rn (cm2) 40 3 7 4 7 2
Paramètres200 mbar,
25 min.10 mbar, 20 min.
*0,5 mbar,
1 h15% de 4
mbar, 12 min1,3 mbar, 20
min.
Paramètres d’oxydation de la Paramètres d’oxydation de la barrière et comparaison barrière et comparaison
internationale : internationale :
55
Réponse du détecteur à un paquet Réponse du détecteur à un paquet de photonsde photons
0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
-0,2
0,0
0,2
0,4
0,6
V
ms
2 Courbes de réponse du détecteur 2 Courbes de réponse du détecteur consécutive à l’absorption des 2 paquets de consécutive à l’absorption des 2 paquets de
photons pendant la même acquisitionphotons pendant la même acquisition
• Hauteur des pics <n>N0 Hauteur des pics <n>N0 E E
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