Post on 16-Oct-2021
ĐIỆN TỬ CƠ BẢN
ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT
KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ
TS. NGUYỄN LINH NAM
Chương 3:
BJT VÀ MẠCH ỨNG DỤNG
Mục tiêu của chương: - Trình bày được cấu tạo, ký hiệu, đặc tuyến,
nguyên lý hoạt động và các tham số cơ bản của BJT
- Vẽ được sơ đồ tương đương của BJT
- Giải thích và tính toán được các mạch điện tử ứng dụng cơ bản dùng BJT
- Áp dụng được các kiến thức về BJT trong thực tế
GIỚI THIỆU CHUNG VỀ BJT (Bipolar Junction Transistors)
E (Emitter): phát ra các hạt mang điện. C (Collector): thu các hạt điện phát ra tư chân E. B (Base): điều khiên dong điện chảy trong transistor, chảy tư chân E vào chân C.
E
E
C
C
B
B
npn pnp
Các tham số cơ bản của BJT ở chế độ khuếch đại
CBOEC IαII
α: 0.95→0.99
BCE III
CBOEB IIα1I
α
II
β
1
α
II
α
α1I CBO
CCBO
CB
β là hệ số khuếch đại
Nếu bỏ qua giá trị rất nhỏ của dong ICBO
BC βII
CBE II1βI
Vùng khuếch đại hay tuyến tính Nối B-E phân cực thuận Nối B-C phân cực nghịch Vùng bảo hòa Nối B-E phân cực thuận Nối B-C phân cực thuận Vùng ngưng Nối B-E phân cực nghịch
CHẾ ĐỘ HOẠT ĐỘNG
MẠCH ỨNG DỤNG
MẠCH KHOÁ ĐIỆN TỬ (MẠCH XUNG SỐ)
MẠCH KHUẾCH ĐẠI
KHOÁ ĐIỆN TỬ (MẠCH XUNG SỐ) Khóa điện tử: trạng thái đóng (con gọi là trạng thái dẫn) trạng thái ngắt (con gọi là trạng thái tắt)
tác động của tín hiệu điều khiên ở ngõ vào
Thay bằng khóa BJT
KHÓA ĐIỆN TỬ Khóa điện tử: trạng thái đóng (con gọi là trạng thái dẫn) trạng thái ngắt (con gọi là trạng thái tắt)
tác động của tín hiệu điều khiên ở ngõ vào
Khoá transistor (BJT)
BJT có thể làm việc ở một trong hai trạng thái: -Trạng thái tắt: dòng qua transistor bằng 0,
transistor khoá. -Trạng thái dẫn bão hoà: dòng qua
transistor đạt giá trị cực đại, transistor dẫn.
-Vin=0, VBE=0, transistor ngưng dẫn. IB=0 và IC=0 VCE=Vout=VCC-IC.RC=VCC -Vin#0 và VBE>VBEsat(Si=0.7V; Ge=0.2V), transistor chuyển sang trạng thái dẫn bão
hoà VCE=VCEsat=0.1÷0.2V (Si) ICsat=(VCC-VCEsat)/RC IB=IC/β (β: độ khuếch đại dòng). Để chọn giá thích hợp RB: IB =(k.IC)/β (k là hệ số bão hoà
sâu, k=2÷5). RB=(Vin-VBEsat)/IB
Quan hệ vào ra: Ngõ vào là xung vuông có tần số 1KHz, biên độ
5V, nguồn Vcc = 12V
Ngõ ra là xung vuông có tần xố 1KHz, biên độ 12V
0.000ms 1.000ms 2.000ms 3.000ms 4.000ms 5.000ms
15.00 V
10.00 V
5.000 V
0.000 V
A: v1_1
0.000ms 1.000ms 2.000ms 3.000ms 4.000ms 5.000ms
15.00 V
10.00 V
5.000 V
0.000 V
A: vout
Vin
Vout
Using a transistor as a switch
NPN
PNP
Using a transistor switch with sensors
Đóng ngắt đèn
Mạch điều khiển thiết bị điện dùng tín hiệu hồng ngoại
Mạch tự động bật/tắt quạt
Mạch điều khiển tốc độ động cơ
Ví dụ: Xác định RC và RB của mạch điện nếu ICsat=10mA
Q1
RB
RC
Vcc=+10V
VIn
VOut
β DC=250/Si
0
10
t1
VIn(V)
t
t2 0
10
t1
VOut(V)
t
t2
10 CCCsat
C
VI mA
R 1 CC
C
Csat
VR k
I
Ta chọn k=2 IB=80μA để đảm bảo BJT hoạt động trong vùng bảo hòa
Do đó ta thiết kế: RC=1kΩ
RB=116kΩ
IB =(k.IC)/β
RB=(Vin-VBEsat)/IB
=116kΩ
Bài tập 1: Cho sơ đồ mạch
điện sau, biết BJT Q1 có
min= 50, VBES= 0.7V, VCES≈
0; D1 có điện áp thuận VF =
2(V)
1.Tính giá trị các điện trở
R1, R2 để đảm bảo khi K1
đóng thì Q1 dẫn bão hoà với
dòng ICS = 20mA?
2. LED D1 có dòng cực đại
IFmax = 50mA, điện áp VFmax
= 3V, tìm giá trị nhỏ nhất
của R1 để D1 không
cháy(hỏng)?
Vcc
5V
K1
R3R2
R1
D3
D2
D1
D468
Q1
Bài tập 2: Cho sơ đồ mạch
điện sau, biết BJT Q1 có =
150, VBES= 0.7V, VCES≈ 0;
LED có điện áp thuận VF =
2(V), dòng thuận IF = 20mA.
1.Tính giá trị các điện trở R1,
R2, R3 để đảm bảo khi K1
đóng Q1 dẫn bão hoà thì các
LED sáng an toàn(cho hệ số
bão hòa K= 3).
2. LED có dòng cực đại IFmax
= 50mA, VFmax = 2,3V điện áp
tìm giá trị nhỏ nhất của các
R2, R3 để LED không
cháy(hỏng)?
Bài tập về nhà: Cho sơ đồ
mạch điều khiển Led như hình
trên, biết BJT Q1 có = 150,
VBES= 0,7(v), VCES≈ 0; các LED
có điện áp thuận VF = 2(v), dòng
thuận IF = 20(mA), nguồn Vcc=
9(v).
1. Tính giá trị các điện trở R1,
R2, R3 để đảm bảo khi công tắc
SW1 đóng Q1 dẫn bão hoà thì
các LED sáng an toàn(cho hệ số
bão hòa K= 3).
2. Các LED có dòng cực đại
IFmax = 50(mA), VFmax = 2,5(v)
điện áp tìm giá trị nhỏ nhất của
các R2, R3 để LED không bị
đánh thủng do quá dòng?
Mạch khuếch đại tín hiệu dùng BJT
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT
MẠCH KHUẾCH ĐẠI NHIỀU TẦNG
MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT
Mạng 4 cực
Đê phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ người ta thường tính các thông số đặc trưng của mạch như: trở kháng ngõ vào (Zi), trở kháng ngõ ra (Zo), độ lợi dong (Ai), độ lợi áp (Av)…đối với tín hiệu xoay chiều.
Phương trình của mạng 4 cực
2221212
2121111
vaiai
vaiav
CÁC KIỂU MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG BJT
Mạch chung Emitter (EC)
CB
EUIn
UOut
EC
Mạch chung Base (BC)
UInUOut
CE
B
BC
NPN
Mạch chung Collector (CC)
C
BE
UIn
UOut
CC
0
IC(mA)
VCE(V)
IB(μA)
Q
N
M
ngưng
bão hòa
VCEQ
ICQ
Đường tải DC (DCLL) và Tĩnh điểm Q Bộ khuếch đại thông thường được thiết kế ở chế độ tối ưu hay điều kiện đối xứng tốt nhất (max swing: Maximum symmetrical swing ). Đây là chế độ sao cho sóng ra lớn nhất và không bị méo (ICQ hoặc VLQ).
MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
Mạch phân cực cơ bản cho BJT
a. Mạch phân cực Collector:
phương trình tải một chiều (DCLL)
ECCQCEQEEQCCQCEQCC RRIVRIRIVV
CQ
CEQCC
ECI
V-VRR
RE thường được tính theo công thức thực nghiệm
CQ
CC
CQ
REE
I
V0.30.1
I
VR
CR
nếu RE=0
CQ
CEQCC
CI
V-VR
Bộ khuếch đại thông thường được thiết kế ở chế độ tối ưu hay điều kiện đối xứng tốt nhất (max swing: Maximum symmetrical swing ). Đây là chế độ sao cho sóng ra lớn nhất và không bị méo (ICQ hoặc VLQ).
b. Mạch phân cực Base:
b.1. Mạch định dong Base:
Tại cực B:
EEQBEbBQCC RIVRIV VBESi=0.7V, VBEGe=0.2V
ECQb
CQ
CC RI7.0Rβ
IV
βR
R
7.0VI
Eb
CCCQ
Tại cực C-DCLL:
EEQCECCQCC RIVRIV
ECCQCCCE RRIVV
b.2. Mạch định áp Base:
CC
21
1BB V
RR
RV
21
2121b
RR
RRR//RR
ECCQCEQEEQCCQCEQCC RRIVRIRIVV DCLL
Ngoài ra
EEQBEbBQBB RIVRIV
β
RRI7,0
βR
RIVV bECQ
bEEQBEBB
βR
R
V-VI
bE
BEBBCQ
Thông thường
10
βRβ1R
10
1R E
Eb
Khi đó
E
BEBBEQCQ
R
V-VII
VBESi=0,7V, VBEGe=0,2V
EC
E
BBCCCEQ RR
R
7.0VVV
βR
R
V-VI
bE
BEBBCQ
b.3. Mạch định dong Emitter:
EEEEQBEbBQ VRIVRI
1βR
R
7.0VI
bE
EEEQ
ECCQCEQEECC RRIVVV
DCLL
Phương pháp phân cực này chỉ được dùng khi mạch yêu cầu chất lượng cao như mạch vi sai, mạch khuếch đại thuật toán (OP-AMP) vì nó phải tốn thêm một nguồn cung cấp.
Bài tập phân tích phân cực (phân tích tĩnh DC)
Bài tập 1: Cho mạch khuếch đại CE dùng BJT như hình vẽ với BJT
có Vcc=12V, VBE=0.7V, β=120. Biết Rb=470kΩ, Rc= 2.2kΩ, Re=1kΩ.
Xác định Q(ICQ,VCEQ) của mạch.
Bài tập 2: Cho mạch khuếch đại CE dùng BJT như hình vẽ với BJT có
Vcc=12V, VBE=0.7V, β=125. Biết R1=68kΩ, R2=470kΩ, Rc= 10kΩ,
Re=1kΩ.
Xác định Q(ICQ,VCEQ) của mạch.
Mạch bài tập 1 Mạch bài tập 2
R2
R1
Bài tập về nhà 1: Cho mạch khuếch đại CE dùng BJT như hình vẽ
với BJT có VBEQ=0.7V, β=100. Biết R1=1.2kΩ, R2=5.2kΩ.
Xác định điểm tĩnh Q(ICQ,VCEQ) của mạch
Bài tập về nhà 2: Cho mạch khuếch đại CE dùng BJT như hình vẽ
với BJT có VBEQ=0.7V, β=100. Biết R1=3.6kΩ, R2=20kΩ.
Xác định điểm tĩnh Q(ICQ,VCEQ) của mạch.
Mạch bài tập 1 Mạch bài tập 2
Phân tích AC: Sơ đồ tương đương
Khi vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ xoay chiều ta dựa vào hai nguyên tắc sau: - Thiết lập tất cả các nguồn cung cấp một chiều ở mức điện thế 0V (ngắn mạch nguồn DC) - Ngắn mạch tất cả các tụ điện.
Đê phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ người ta thường tính các thông số đặc trưng của mạch như: trở kháng ngõ vào (Zi), trở kháng ngõ ra (Zo), độ lợi dong (Ai), độ lợi áp (Av)…đối với tín hiệu xoay chiều.
Chìa khóa đê phân giải và xác định các thông số của mạch là mạch tương đương xoay chiều.
Độ lợi điện thế:
Độ lợi dong điện:
Tổng trở vào:
Tổng trở ra:
oV
i
vA
v
oV
i
iA
i
ii
i
vZ
i
oo
o
vZ
i
R1 R2
Rczi
ii
vi
io zovo
+
--
+
Mạch cực Emitter và Collector chung
erB
ib
E
ic
bi
Dạng đơn giản
erB
ib
E
ic
bi
Dạng đầy đủ
kiểu mẫu re
Dạng đơn giản
Dạng đầy đủ
thông số h
iehB
ib
E
ic
fe bh .i
re CEh .v
B ib
E
ic
fe bh .i
C
00e
1rh
ieh
~
Mạch cực Base chung
Dạng đơn giản
Dạng đầy đủ
kiểu mẫu re
Dạng đơn giản
Dạng đầy đủ
thông số h
er
E ie
B
ic
ei
C
00b
1rh
ieh
E ie
B
ic
fb eh .ire cbh .v ~
00b
1rh
iehE
ie
B
ic
fb eh .ier
E ie
B
ic
ei
C
hib
hib
hrb
Các liên hệ cần chú ý:
e
C E
26mV 26mVr
I I
e ier h feh e ibr h fbh 1
;
Ngoài ra:
be be ce b m be
b c b m
v v i 1r . i g .v
i i i g
Do đó nguồn phụ thuộc βib có thê thay thế bằng nguồn gm.vbe
RE
Q1
Rc
Vcc
RBC1
C2
Voer
Bib
E
iobi
C
Rc
ii+
-
vi Rb
Re
vo
+
-Zi Zb
Zo
Trị số β do nhà sản xuất cho biết Trị số re được tính từ mạch phân cực:
e
C
26mVr
I
Cách mắc Emitter chung (CE-Common Emitter): giải tích theo kiểu mẫu re
Ðộ lợi điện thế: oV
i
vA
v
o b Cv .i .R i e b E bv .r .i 1 R .i
o b C C
V
i e b E b e E
v .i .R .RA
v .r .i 1 R .i .r 1 R
CV
e E
RA
r R
CV
E
RA
R
Do β >>1
Nếu RE>>re
Dấu - cho thấy vo và vi ngược pha
er
Bib
E
iobi
C
Rc
ii+
-
vi Rb
Re
vo
+
-Zi Zb
Zo
oi
i
iA
iÐộ lợi dòng điện:
oo
C
vi
R i
i
i
vi
z
. o ii
i C
v zA
v R
. ii V
C
zA A
R
ii
i
vz
i
e b E bi
b e E e E E
b b
.r .i 1 R .ivz .r 1 R r R R
i i
i B bz R // z
Tổng trở vào:
oo
o
vz
iTổng trở ra:
oo C
o
vz R
i
er
Bib
E
iobi
C
Rc
ii+
-
vi Rb
Re
vo
+
-Zi Zb
Zo
RE
Q1
Rc
Vcc
RBC1
C2
CE
ViVo
Q1
Rc
Vcc
RBC1
C2
ViVo
er
Bib
E
iobi
C
Rc
ii+
-
vi
Rb
vo
+
-
ZiZo
Mạch tương đương
Trong trường hợp nối thêm CE hoặc nối chân E xuống mass
o CV
i e
v RA
v r
ii B e
i
vz R // r
i
o Cz R
ii V
C
zA A
R
Phân giải mạch ta sẽ tìm được:
Mạch khuếch đại cực phát chung với kiểu phân cực bằng cầu chia điện thế và ổn định cực phát
RE
Q1
Rc
Vcc
R1C1
C2
ViVo
R2
er
Bib
E
iobi
C
Rc
ii+
-
vi
R2
Re
vo
+
-
Zi Zo
R1
Zb
C CV
e E E
R RA
r R R
i 1 2 bz R // R // z
b e E Ez r R R
o Cz Rii V
C
zA A
R
Mạch tương đương
Trong trường hợp nối thêm CE hoặc nối chân E xuống mass
RE
Q1
Rc
Vcc
R1C1
C2
ViVo
R2
CE
Q1
Rc
Vcc
R1C1
C2
ViVo
R2
er
Bib
E
iobi
C
Rc
ii+
-
vi
R2
vo
+
-
Zi Zo
R1
Zb
CV
E
RA
r
i 1 2 bz R // R // z
b Ez r
o Cz R
ii V
C
zA A
R
http://www.sentex.ca/~mec1995/tutorial/xtor/xtor6/xtor6.html
Bài tập 1 Cho mạch khuếch đại CE dùng BJT như hình vẽ với BJT có β=hfe=100,
Vcc=20V, VBEQ=0.7V. Biết Rb=390kΩ, Rc=2.2kΩ, Re=1.2kΩ. Tìm:
a. Điểm tĩnh Q(ICQ,VCEQ).
b. Vẽ sơ đồ tương tín hiệu nhỏ của mạch.
c. Độ lợi.
d. Trở kháng vào, Trở kháng ra.
Bài tập 2
Cho mạch khuếch đại CE dùng BJT như hình vẽ với BJT có β=hfe=200,
VBEQ=0.7V. Tìm:
a. Điểm tĩnh Q(ICQ,VCEQ).
b. Vẽ sơ đồ tương tín hiệu nhỏ của mạch.
c. Độ lợi.
d. Trở kháng vào, Trở kháng ra.
Cho mạch khuếch đại CE dùng BJT như hình vẽ với BJT có
β=hfe=200, VBEQ=0.7V. Tìm:
a. Điểm tĩnh Q(ICQ,VCEQ).
b. Vẽ sơ đồ tương tín hiệu nhỏ của mạch.
c. Độ lợi.
d. Trở kháng vào, Trở kháng ra.
Bài tập về nhà 1
Bài tập về nhà 2 Cho mạch khuếch đại CE dùng BJT như hình vẽ với BJT có β=hfe=200,
VBEQ=0.7V. Tìm:
a. Điểm tĩnh Q(ICQ,VCEQ).
b. Vẽ sơ đồ tương tín hiệu nhỏ của mạch.
c. Độ lợi.
d. Trở kháng vào, Trở kháng ra.
Một bộ khuếch đại thường gồm nhiều tầng khuếch đại ghép liên tiếp nhằm đạt đến mục tiêu thiết kế: đáp ứng về độ lợi, cải thiện đáp tuyến tần số, pha, triệt nhiễu, phối hợp trở kháng…. Trong cách ghép này tín hiệu ra của tầng trước là tín hiệu vào của tầng sau.
MẠCH KHUẾCH ĐẠI NHIỀU TẦNG
Độ lợi toàn mạch sẽ là:
vnv2v1
in
on
i2
o2
i
o1
i
onv A...AA
V
V...
V
V
V
V
V
VA
ini2i1
in
on
i2
o2
i1
o1
i1
oni A...AA
I
I...
I
I
I
I
I
IA
Có hai cách ghép cơ bản: - Ghép gián tiếp: ghép RC, ghép biến áp… - Ghép trực tiếp: ghép Darlington, ghép Cascode…
MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC:
Transistor mắc bổ phụ trong các sơ đồ không biến áp
iC1
ib1 ib2
iC2
iE2
BJT ghép Darlington (Darlington Pair)
-Đê tín hiệu ra đủ lớn nhằm cung cấp một công suất lớn cho tải,
ta phải dùng đến mạch khuếch đại công suất (KĐCS).
Ví dụ: cho loa (radio-casttset), cho các cuộn lái tia (Tivi), điều
khiên động cơ,…
-Một bộ khuếch đại công suất, thông thường đặt ở vị trí cuối
cùng hay ở ngõ ra trong một bộ khuếch đại. Các tầng phía trước
nó, có thê được thiết kế đê thực hiện khuếch đại, đệm, hay đê
thay đổi đặc tính tín hiệu.
MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT
Chức năng:
Đặc điểm:
-Hoạt động ở mức điện áp cao và dong điện lớn. -Có thê hoạt động trên toàn bộ đặc tuyến ra, từ vùng bão hoa đến ngưng dẫn. -Các tham số transistor thay đổi theo mức tín hiệu
Kiêu hoạt động như vậy được gọi là hoạt động ở chế độ tín hiệu lớn
MẠCH KHUẾCH ĐẠI PUSH-PULL
- Khắc phục khuyết điêm hiệu suất thấp ở lớp A. - Giảm méo dạng so với lớp B.
Nội dung: - Mạch khuếch đại công suất kiêu OTL - Mạch khuếch đại công suất kiêu OCL
Mạch khuếch đại Push-Pull sử dụng hai linh kiện đê lái một tải. Một linh kiện chịu trách nhiệm chính lái dong qua tải theo một hướng (đẩy-PUSH) trong khi linh kiện con lại có nhiệm vụ lái dong qua tải theo chiều ngược lại (kéo-PULL). Các linh kiện thông dụng là transistor.
Mạch khuếch đại công suất kiểu OTL (Output Transformer Less)
Mạch dùng 2 BJT cùng loại
uL S
Ci
CL
RL
RE2
RE1
RE
RC
R2
R1
Q2
Q1
Q0
Vcc
ui
ui
uL S
CL
D2
D1
Ci
Vcc
RL
RE
RC
R2
R1
Q2
Q1
Q0
Mạch dùng 2 BJT bổ phụ
Mạch OTL: Ưu điểm: tiết kiệm do chỉ dùng một nguồn cung cấp.
Khuyết điểm: -Méo tần số thấp do tụ CL gây ra (do CL không thê tiến tới vô cùng trong thực tế). -Méo phi tuyến lớn do hai tầng Q1, Q2 không thật đối xứng (do điện áp ngõ ra tại cực C không phải lúc nào cũng đúng bằng Vcc/2). -Băng thông bị co hẹp do tụ CL (D<D’).
Đê khắc phục những khuyết điêm trên ta dùng mạch công suất kiêu OCL (không có tụ liên lạc tại ngõ ra).
Mạch khuếch đại công suất kiểu OCL (Output Capacitor Less)
Mạch dùng 2 BJT cùng loại
-Vcc
Ci
+Vcc
RL
RE2
RE1
RE
RC
R2
R1
Q2
Q1
Q0
ui
Mạch dùng 2 BJT bổ phụ
ui
uL S D2
D1
Ci
Vcc
RL
RE
RC
R2
R1
Q2
Q1
Q0
-Vcc
Công suất và hiệu suất: Khi Q1 dẫn, điện áp trên tải là uL = RL.iC1 và khi Q2 dẫn
điện áp trên tải là uL=RL.iC2. Do Q1, Q2 có tính đối xứng nên trong mạch có iC1 = iC2, nếu dong qua RL là il và dong cực đại là ilmax, thì công suất trên tải là:
Khi Q1, Q2 dẫn mạnh, điện áp vCES =0.2V và dong qua tải đạt đến mức cực đại.
2
max
2
max2
2
1
2lLL
llLo iRR
iiRP
L
CECC
lR
vVi S
max
L
CESCC
oR
vVP
2
max2
1
Bỏ qua RE1, RE2 (nếu có)
Trong khi đó, công suất từ nguồn nuôi VCC là:
Hiệu suất của mạch:
Trong thực tế, do vCES << VCC nên hiệu suất của mạch đạt cao nhất là 78,5%.
L
CESCCCCcCCcCCDC
R
vVViVIVP
22 max
%5,781
42
2
12
CC
CES
CC
CESCC
L
CESCCCC
L
CESCC
DC
o
V
v
V
vV
R
vVV
R
vV
P
P
do icmax=ilmax
ui
ur S D2
D1
Ci
Vcc
RL
RE
RC
R2
R1
Q2
Q1
Q0
-Vcc
Ví dụ: RL=4Ω; Vcc=25V
Cho mạch OCL như trong hình, xác định: a. Công suất tiêu tán trên
mỗi transistor khi cấp điện áp hiệu dụng ở đầu ra 12Vrms.
b. Nếu tín hiệu vào đạt cực đại mà tín hiệu ra chưa méo dạng, hãy xác định công suất vào và ra, công suất tiêu tán trên mỗi transistor
Mạch amli kiểu OTL 50W dùng 2N3055
http://www.eleccircuit.com/circuit-power-amplifier-otl-50w-by-2n3055/
Mạch amli kiểu OTL 50W dùng LM3900 và 2N3055
http://www.eleccircuit.com/circuit-power-amplifier-otl-50w-by-2n3055/